近日，重慶青山與重慶大學聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。
SiC功率芯片是一種基于碳化硅(SiC)材料制成的功率半導(dǎo)體芯片，屬于第三代半導(dǎo)體技術(shù)，相比傳統(tǒng)硅基功率芯片，具有高耐壓、低損耗、高頻高效等特性，主要應(yīng)用于新能源汽車的電驅(qū)電控系統(tǒng)，是新能源技術(shù)升級的關(guān)鍵方向。
此次雙方聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片，在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達1700V以上;閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過率達到98%，實測值分布集中，具有較強的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節(jié)約成本。